SK海力士正在把下一代NAND的竞争焦点，从单纯“堆得更高”推进到“材料换代”。
6月11日，韩国半导体媒体TheElec报道称，SK海力士计划在今年年底前开始量产375层3D NAND闪存，并已完成该产品的生产验证，正准备将技术转移至量产线。此次量产不会新建工厂，而是通过改造韩国清州M15工厂现有NAND产线推进，这些产线目前生产176层、238层和321层NAND产品。
这款产品此前在公司内部被称为“400层级”NAND，但最终层数调整为375层。原因并不难理解：NAND层数越高，沟道孔蚀刻等制造环节难度越大，堆叠高度、良率和工艺稳定性都会成为限制条件。
TheElec援引产业人士称，SK海力士后续路线图还包括480层和604层产品。
这次最值得注意的变化，是SK海力士计划在375层产品中引入钼，替代部分原本用于金属栅极电极、也就是字线中的钨薄膜。
NAND通过垂直堆叠大量存储单元和控制这些单元的字线来提升容量，层数越高，字线结构越细，传统钨材料的电阻问题越突出。
钼被视为解决这一问题的候选材料。泛林集团此前介绍，钼原子层沉积方案在多数情况下可比传统钨金属化实现超过50%的电阻改善；半导体工程网站也指出，随着字线层变薄，钨电阻上升会损害性能，钼和钌等低电阻材料因此成为研究方向。
对NAND来说，低电阻意味着信号传输更快，程序写入和读取延迟有望改善，也有助于降低功耗。这并不等于单颗芯片性能会立刻出现跨代飞跃，但它说明高层数NAND的瓶颈已不只是“能不能堆上去”，还包括堆上去之后能否保持速度、功耗和可靠性。
SK海力士并不是唯一尝试钼材料的厂商。TheElec报道称，三星电子已从2024年4月量产的第九代286层3D NAND开始，在金属布线工艺中引入钼；其超过400层的第十代3D NAND正准备在今年下半年商业化，并扩大钼应用的工艺步骤。
这使得375层NAND不仅是SK海力士自身产品路线的升级，也是在三星、铠侠、美光等厂商继续推进高层数NAND时的一次材料追赶。过去两年，SK海力士在高层堆叠上动作较快，2024年已宣布全球首个321层NAND量产，并计划从2025年上半年向客户供货。
随后，SK海力士又在2025年启动321层2Tb QLC NAND量产，产品面向更高密度存储，计划在客户验证后于2026年上半年推出。该产品通过把芯片内部独立运行单元从4个增加到6个，来缓解大容量QLC可能带来的性能下降。
这轮NAND升级发生在AI存储需求快速扩张的背景下。SK海力士去年在OCP Global Summit上提出AI-NAND产品线，覆盖面向性能、带宽和密度的不同方向，并称AI推理市场增长正在显著提高对快速、高效处理大规模数据的NAND存储需求。
路透社近期也报道称，英伟达与SK集团达成多年合作，SK海力士将为全球AI数据中心开发先进存储，并扩大晶圆产能；黄仁勋表示，现有扩产仍不足以满足未来AI需求。
375层NAND能否按计划在年底进入量产，接下来要看M15产线改造、良率爬坡以及客户验证进度。真正的看点不只是SK海力士能把NAND堆到多少层，而是钼材料能否在高层数产品中稳定放大。